Начнем с теории: основное отличие DDR3 от DDR2 заключается в частоте микросхем памяти и ширине подведенной к ним шины. В оперативке DDR2 они работают на частоте, вдвое меньшей, нежели у буферов ввода-вывода (то есть она в четыре раза меньше эффективной), а шина, связывающая два этих компонента ОЗУ, вчетверо шире внешней.

В DDR3 эти соотношения имеют вид 1:4 и 8:1 соответственно. Основная идея таких перемен довольно очевидна: за счет расширения шины добиться более высоких эффективных частот при тех же скоростях микросхем памяти – например, если чипы оперативки работают при двух сотнях мегагерц, DDR2 превратит это значение в 800, а DDR3 – в 1600 «эффективных» мегагерц.

Вышеописанные изменения неизбежно вызывают повышение таймингов – особенно это было заметно тогда, когда DDR3 только появилась, сейчас уже производители памяти выпустили достаточно модулей, способных работать при приемлемом уровне задержек. Кстати, преимущества DDR3 одними лишь высокими частотами не ограничиваются – штатное напряжение для памяти данного типа расположено на уровне 1,5 В, тогда как у DDR2 это значение на 0,3 В выше. Кроме того, в спецификации DDR3L заложен еще более низкий вольтаж, всего 1,35 В, а в дальнейшем возможен переход и на 1,25 В.

Впрочем, зачастую низкое напряжение становится помехой на пути к достижению вершин производительности, и многие компании выпускают свои варианты высокочастотных модулей, официально «дружащих», например, с 1,8 В.